类型：SRAM
　　容量：8MB (64K x 18位)
　　电源电压：3.3V 或 5V（具体取决于型号后缀）
　　访问时间：20ns
　　封装类型：44引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　数据保持电压：最低可支持至2.0V
　　功耗：典型值为150mA（待机模式下低于10mA）
　　接口类型：并行接口
　　读写控制信号：支持CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）

HM621864HLJP-20R 是一款高性能的静态存储器，其主要优势在于其快速的访问时间，仅为20ns，这使得它非常适合需要快速数据访问的应用场景。该芯片采用了低功耗设计，在待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，该芯片支持宽电压范围供电，通常为3.3V或5V版本，具体取决于后缀，从而增强了其在不同系统中的兼容性。其数据保持电压最低可支持至2.0V，确保在低电压条件下数据不会丢失。该芯片采用CMOS工艺，具有较高的抗干扰能力和稳定性。封装形式为44引脚TSOP，便于SMT贴片工艺，适用于现代电子设备的小型化设计。其工业级温度范围使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，如工厂自动化设备、通信基站等场景。

HM621864HLJP-20R SRAM芯片广泛应用于对存储速度和可靠性有较高要求的系统中。例如，在工业控制系统中，该芯片可作为高速缓存用于临时存储实时数据或程序指令；在网络设备中，它可被用于缓冲数据包以提高处理效率；在测试仪器中，该芯片可用于存储测试参数和测量结果。此外，它也适用于嵌入式系统，如便携式医疗设备、智能家电和工业机器人等，作为临时数据存储单元。由于其低功耗和宽温度范围特性，也适合用于户外或恶劣环境下的远程监控设备。

IS62LV1864-20TLI、CY7C1864KV18-20BZC、IDT71V1864SA20PFG