容量：8Mbit (1024K x 8)
　　组织结构：x8
　　电源电压：3.3V 或 5V（视具体型号而定）
　　访问时间（tRC）：25ns
　　读取时间（tAA）：25ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装形式：TSOP
　　引脚数：54
　　封装尺寸：标准TSOP
　　功耗（典型值）：约100mA（待机模式下功耗更低）
　　封装材料：塑料

HM621864HJP-25 是一款高性能的SRAM芯片，具有出色的访问速度和稳定性。其25ns的访问时间使得它能够满足高速数据缓存和实时处理的需求。该芯片采用了CMOS技术，不仅保证了高速性能，还有效降低了功耗，尤其在待机模式下功耗更低，非常适合对能效有要求的应用场景。
　　这款SRAM芯片具有良好的抗干扰能力和数据保持能力，在复杂电磁环境下也能稳定运行。其设计支持异步操作，适用于多种系统架构，能够与多种主控芯片无缝连接。此外，HM621864HJP-25 的封装形式为TSOP，体积小巧，便于PCB布局并节省空间。
　　在可靠性方面，该芯片符合工业级温度标准（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境条件下的设备，如工业自动化、车载电子和通信基础设施。其内置的自动低功耗模式也延长了电池供电设备的使用时间，提高了整体系统效率。

HM621864HJP-25 主要用于需要高速、低功耗和可靠存储的嵌入式系统。典型应用包括工业控制系统、网络设备、通信模块、打印机、扫描仪、医疗设备、便携式电子产品以及各种嵌入式微控制器系统。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也常被用于图像处理、实时数据缓冲和高速缓存存储场景。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）和传感器模块中的临时数据存储；在通信设备中，可用于缓存通信协议数据和临时信息；在消费类电子产品中，如数码相机、手持游戏设备和智能家电，HM621864HJP-25 可用于高速缓存或临时内存扩展。此外，它也广泛应用于测试设备、测量仪器和数据采集系统中。

CY62188EVLL-25ZE, IS62LV25616-25BLLI, IDT71V416S25PFGI