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HM621100ALJP-20 发布时间 时间:2025/9/7 12:50:09 查看 阅读:6

HM621100ALJP-20是一款由HITACHI(现为Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问特性,适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。其容量为1Mbit(128K x 8),采用55引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于嵌入式系统、网络设备、测试仪器等对稳定性和速度要求较高的应用场景。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  电压:3.3V或5V可选
  访问时间:20ns
  封装:55-TSOP
  工作温度:-40°C至+85°C
  数据输入/输出方式:并行
  读写控制信号:CE, OE, WE
  封装尺寸:标准TSOP

特性

HM621100ALJP-20作为一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有多个显著的特性,适用于多种高性能嵌入式应用。首先,其访问时间仅为20ns,这使得该芯片能够在高速数据处理环境中快速响应,确保系统的实时性和高效性。这种高速性能使其适用于需要快速数据缓存和临时存储的应用,如网络交换机、路由器、工业控制器等。
  其次,该芯片支持3.3V或5V电源供电,提供了良好的电压兼容性,使其能够灵活地集成到不同电压标准的系统中。这种设计增强了其在各种电子设备中的适应性,特别是在需要与不同代际的主控芯片兼容的情况下。
  此外,HM621100ALJP-20采用55引脚TSOP封装,具有较小的封装体积,适合高密度PCB布局,并且其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,适用于恶劣环境下的稳定运行,如工厂自动化、交通控制系统等。
  该芯片的并行数据输入/输出接口设计允许直接连接微处理器或其他主控设备,简化了系统架构并提高了数据传输效率。控制信号包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持标准的SRAM读写时序,便于开发和调试。
  综合来看,HM621100ALJP-20以其高速度、低功耗、宽工作温度范围和灵活的电源适应性,成为工业控制、通信设备、测试仪器等多种应用的理想选择。

应用

HM621100ALJP-20广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统中。典型应用包括网络设备(如路由器、交换机)中的高速缓存,工业控制系统的数据缓冲,测试与测量仪器中的临时数据存储,以及消费类电子产品中的高性能存储单元。由于其宽温度范围和高可靠性,它也常用于工业自动化、交通控制系统和通信基站等严苛环境下的电子设备中。

替代型号

IS61LV1024ALBLL-10B, CY62148EVLL, IDT71V124SA, AS7C31025C

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