您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HM61C092C102NR

HM61C092C102NR 发布时间 时间:2025/8/20 20:59:58 查看 阅读:20

HM61C092C102NR 是一款由Hittite Microwave公司(现为Analog Devices旗下公司)生产的高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高速CMOS技术制造,具备高性能和高可靠性的特点,适用于需要快速数据访问的场合。该芯片具有9Mbit的存储容量,组织形式为256K x 36位,工作电压为2.3V至3.6V,支持高速异步读写操作。该器件广泛应用于通信设备、网络处理器、嵌入式系统、工业控制等领域。

参数

容量:9Mbit
  组织结构:256K x 36
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:165-TQFP
  接口类型:异步
  读写方式:异步读/写
  最大时钟频率:无
  数据保持电压:最小2V
  输入/输出数量:36位数据总线
  封装尺寸:24mm x 24mm

特性

HM61C092C102NR 具备多项高性能特性。首先,其高速访问时间为10ns,确保了快速的数据读写能力,满足高速缓存和实时处理的需求。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时实现节能运行,适合对功耗敏感的应用场景。其宽工作电压范围(2.3V至3.6V)增强了适应性,能够在多种电源条件下稳定运行。该芯片支持异步操作,无需时钟信号即可进行数据读写,简化了系统设计并提高了灵活性。此外,其256K x 36位的存储组织结构提供了高达9Mbit的存储容量,适用于需要大容量高速存储的应用场景。HM61C092C102NR 还具备良好的抗干扰能力和稳定性,能够在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内正常工作,适用于严苛环境下的应用。其165引脚TQFP封装提供了良好的电气性能和机械稳定性,便于PCB布局与散热管理。
  在可靠性方面,HM61C092C102NR 通过了严格的工业标准测试,包括温度循环、湿度测试和ESD保护测试,确保在各种应用环境下的稳定运行。该芯片还具备数据保持能力,在电源电压下降至2V时仍能保持数据完整性,适合用于需要断电保护或备用电源设计的系统中。

应用

HM61C092C102NR 广泛应用于高性能嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制设备、测试仪器、雷达系统、图像处理设备等领域。在通信领域,该芯片可用于缓存高速数据流,提升数据处理效率;在网络设备中,它可作为快速查找表或临时数据存储器,提高系统响应速度。此外,该芯片也适用于需要大容量高速缓存的音频/视频处理设备、实时控制系统和工业自动化设备。由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片也常用于航空航天、国防电子、车载电子等对稳定性要求极高的场合。

替代型号

CY7C1512KV18-10BZC, IDT71V416S10PF, IS61C256ALB-10BLL