时间：2025/8/10 11:31:36
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HM6116LK-120 是由 Hitachi（现为 Renesas）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为2K x 8位，即总共16K位的存储空间。这款芯片以其高速访问时间和低功耗设计而闻名，广泛应用于工业控制、通信设备、计算机外围设备及嵌入式系统中。HM6116LK-120 采用 CMOS 工艺制造，支持异步操作，适用于多种需要快速数据存取的场景。
容量：2K x 8位
访问时间：120ns
工作电压：5V
封装形式：28引脚 DIP 或 PLCC
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
输入/输出电平：TTL 兼容
功耗：典型待机电流小于10mA
HM6116LK-120 采用高性能 CMOS 技术，使其在保持低功耗的同时实现高速数据访问。其120ns的访问时间确保了在大多数微处理器系统中无需插入等待状态即可运行，提高了整体系统效率。芯片具备TTL电平兼容性，使得其能够与多种控制器和处理器直接连接，简化了电路设计。
此外，HM6116LK-120 支持异步操作，具有独立的地址输入和数据输入/输出引脚，允许灵活的地址映射和内存管理。其低待机电流特性也使其适用于对功耗敏感的应用场合，如便携式设备和远程监控系统。
该芯片还具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境中稳定运行，适用于工业控制、数据采集、网络设备等多种应用场景。
HM6116LK-120 广泛用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统中。典型应用包括微控制器系统中的外部RAM扩展、工业控制设备的高速缓冲存储、通信模块的数据暂存、智能仪表的数据存储、医疗设备中的实时数据处理以及老式计算机和游戏设备的内存扩展。
由于其异步接口和广泛兼容性，该芯片也被广泛用于教育实验平台、电子开发套件以及DIY电子项目中，适合需要可靠SRAM解决方案的设计方案。
AS6C6116-120PCN-BL, CY62167EAP-120BZS, IDT7164SA120PFG, HM62816A-120
