时间：2025/9/7 4:09:29
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HM538254BTT-8 是由富士通（Fujitsu）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片，容量为256K x 4位，工作电压为5V，支持快速页面模式（Fast Page Mode）操作。该芯片采用TSOP封装形式，适用于需要中等容量存储的电子设备。
容量：256K x 4位
电压：5V
封装类型：TSOP
引脚数：50
访问时间：8 ns
工作温度范围：0°C 至 70°C
刷新周期：64 ms
数据保持电压：2V
最大工作频率：117 MHz
页面模式支持：快速页面模式
HM538254BTT-8 是一款高性能的DRAM芯片，具备较快的访问时间（8ns），适合用于需要高速数据读写的应用场景。该芯片支持快速页面模式，允许在同一个行地址下连续访问多个列地址，从而提高数据传输效率。此外，其TSOP封装设计有助于减少电路板空间占用，并提升高频操作下的稳定性。
在功耗方面，该芯片在5V电源供电下运行，具有良好的电气特性和稳定性。芯片内置刷新电路，支持自动刷新和自刷新模式，能够有效维持数据完整性。同时，其数据保持电压低至2V，使得在低功耗模式下仍能保持数据不丢失。
HM538254BTT-8 还具备良好的工业级工作温度适应能力（0°C 至 70°C），适合在多种环境条件下运行。其64ms的刷新周期确保了内存的稳定性和可靠性，适用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备等多种应用场景。
该芯片广泛应用于工业控制设备、通信设备、消费类电子产品、网络设备及测试仪器等对中等容量高速存储有需求的系统中。例如，可用于缓存数据、图像处理、网络缓冲区存储等场景。
CY7C1009B-10ZSXC，IDT71V016S-10YI，IS61LV2564-8TL
