容量：256K x 4位
　　组织结构：262,144地址 x 4数据位
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：8 ns（最大）
　　封装形式：SOJ（小型J形引脚封装）
　　引脚数：28引脚
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　刷新周期：64 ms
　　数据保持电压：2V
　　输出驱动能力：TTL兼容

HM538254BJ-8 采用高速CMOS工艺制造，具备出色的存取性能和稳定性。其主要特性包括：
　　1. 高速访问时间：该芯片的访问时间最大为8 ns，能够满足高速数据读写需求，适用于对时间敏感的应用场景。
　　2. 低功耗设计：在CMOS工艺的支持下，芯片在待机和运行状态下均具有较低的功耗，适合用于便携式设备和节能型系统。
　　3. 标准接口：该DRAM芯片提供标准的TTL兼容输入输出接口，便于与各种控制器和逻辑电路集成。
　　4. 高集成度：采用高密度存储单元设计，使得256K x 4位的存储容量能够集成在单一芯片中，节省了PCB空间并提高了系统集成度。
　　5. 支持多种刷新模式：芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够有效延长数据保持时间，同时减轻系统刷新负担。
　　6. 工业级工作温度范围：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行。
　　7. 封装形式：采用28引脚SOJ封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高可靠性应用场景。

HM538254BJ-8 主要用于需要中等容量高速存储的电子系统中。典型应用包括：
　　1. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机和自动化设备，用于临时数据存储和缓冲。
　　2. 通信设备：如交换机、路由器和基站模块，用于数据包缓存和协议处理。
　　3. 消费类电子产品：如电视、音响和游戏设备，用于图像和音频数据的缓存。
　　4. 医疗设备：如监护仪、超声设备和便携式诊断仪器，用于实时数据采集和处理。
　　5. 测试与测量仪器：如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪，用于高速数据采集和存储。
　　6. 汽车电子系统：如车载导航、信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统），用于图形和传感器数据的暂存。
　　由于其高速访问、低功耗和工业级温度特性，HM538254BJ-8 在嵌入式系统、数据采集设备和实时控制系统中具有广泛的应用前景。

IS61LV2564-8T, CY7C199-8PC, IDT71256SA8B, HM538254BFP-8