时间：2025/9/6 19:43:40
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HM538123BJ8 是一款由日本 Hitachi（日立）公司生产的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有高速存取能力和低功耗特性，适用于需要可靠数据存储和快速响应的应用场合。
容量：8K x 8位
组织结构：64Kbit
供电电压：4.5V 至 5.5V
访问时间（tRC）：12 ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：28
输入/输出电平：TTL兼容
功耗（典型值）：100 mA（待机模式下小于10 μA）
HM538123BJ8 采用高速CMOS技术制造，具备快速存取能力，访问时间仅为12纳秒，适合高速数据缓冲和临时存储应用。其宽广的工作电压范围（4.5V至5.5V）增强了对电源波动的适应能力，提高了系统的稳定性。
该芯片具备TTL电平兼容性，可以直接与多种微处理器和控制器接口连接，而无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。同时，其低待机电流（小于10μA）有助于在非工作状态下节省能耗，适用于便携式设备或对功耗敏感的应用场景。
HM538123BJ8 采用28引脚SOJ封装，具有良好的焊接可靠性和散热性能，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），可在严苛环境下稳定运行。该器件广泛用于通信设备、工业控制、测试仪器以及嵌入式系统中。
该芯片常用于需要快速数据存取的场合，如网络设备的数据缓冲、嵌入式系统的临时存储器、工业控制设备中的状态存储、测试测量仪器的高速缓存、视频显示控制器的帧缓冲等。此外，HM538123BJ8 还可用于替代更早期的异步SRAM芯片，以提升系统性能。
CY62148EVLL-45ZE3, IS61LV25616-12B4B, IDT71V016S12PHGI
