HM530281TT-25 是一款由 Hitachi(现为 Renesas)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该器件属于早期的 DRAM 技术产品,广泛应用于上世纪 90 年代的计算机系统、工业设备以及嵌入式系统中。它采用 CMOS 工艺制造,具有较低的功耗和较高的集成度。该芯片的容量为 256K x 4 位,工作电压为 5V,封装形式为 28 引脚双列直插式封装(DIP)或表面贴装(SOP/SSOP)。由于其标准化的设计和广泛的应用基础,HM530281TT-25 在当时的市场中较为常见,适合用于早期的 PC 板卡、图像处理模块以及存储扩展设备。
容量:256K x 4 位
数据速率:25 ns
工作电压:5V ± 10%
封装类型:28 引脚 SOP 或 DIP
访问时间:25 ns
刷新周期:64 ms
温度范围:商业级(0°C 至 70°C)
接口类型:异步 DRAM
功耗:典型值 200 mA @ 5V
HM530281TT-25 是一款标准异步 DRAM 芯片,具有以下主要特性:
首先,该芯片采用 256K x 4 的存储结构,意味着它拥有 256K 个存储单元,每个单元存储 4 位数据。这种结构使其适用于需要中等容量存储的系统,如早期的 PC 图形存储器、嵌入式控制器缓存等。其 25 ns 的访问速度适用于当时的中等频率应用,满足了当时大多数计算机和外围设备的性能需求。
其次,HM530281TT-25 采用标准异步接口,这意味着其操作不依赖于固定的时钟信号,而是通过控制信号(如 RAS、CAS、WE)来管理读写和刷新操作。这种异步特性使其在设计上更为灵活,但也对控制器的时序管理提出了较高要求。
此外,该芯片采用 5V 电源供电,兼容当时主流的 TTL 和 CMOS 逻辑电平,便于与当时的处理器和外围芯片连接。其封装形式为 28 引脚 SOP 或 DIP,适用于不同的 PCB 设计需求,包括通孔焊接和表面贴装技术(SMT)。
在功耗方面,HM530281TT-25 典型电流消耗为 200mA,在当时的 DRAM 芯片中属于中等水平。尽管相比后来的低功耗 SDRAM 和 DDR 技术略显耗电,但在其应用时代仍具有良好的能效比。
最后,该芯片内置自动刷新功能,支持自刷新模式(Self-Refresh Mode),在低功耗状态下仍可保持数据完整性,适合用于需要间歇性工作的设备。
HM530281TT-25 主要应用于需要中等容量快速存储的电子设备中。在上世纪 90 年代,它广泛用于早期个人计算机的显存(VRAM)或主存扩展模块,尤其是在图形显示卡和嵌入式控制系统中。例如,它常用于 VGA 或 SVGA 图形控制器的帧缓冲区,以存储屏幕像素数据。此外,该芯片也被用于工业控制系统、医疗设备和通信设备中,用于临时存储数据或缓存指令。由于其异步接口和标准封装,它也适合用于教学实验和开发原型设计。在一些需要兼容旧系统的维护或替代场景中,如老旧工业设备的升级或修复,该芯片仍然具有一定的应用价值。
TC55V256AFT-25, CY7C199-25PC, KM684000ALG-25