HM5264165FLTT-75 是由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速CMOS SRAM系列,适用于需要快速存取和低功耗的系统应用。该芯片采用3.3V电源供电,具有高速访问时间,适用于各种通信、网络、工业控制和嵌入式系统应用。HM5264165FLTT-75 是一款高性能、高可靠性的SRAM芯片,广泛用于需要高速缓存和临时数据存储的场景。
存储容量:256K x 16位
访问时间:7.5ns
电源电压:3.3V
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
输入/输出电压兼容性:3.3V 和 5V 兼容
封装引脚数:54
封装尺寸:54-TSOP
最大工作频率:166MHz(基于访问时间计算)
HM5264165FLTT-75 是一款高速异步SRAM芯片,其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计以及宽广的温度适应范围,适合在工业环境中使用。该芯片的7.5ns访问时间确保了数据的快速读写,适用于对实时性要求较高的应用场合,如高速缓存、数据缓冲和嵌入式系统的临时存储。此外,该SRAM芯片支持3.3V电源供电,并兼容5V的输入/输出信号,使其能够方便地集成到多种系统设计中。
该芯片采用CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了封装的可靠性和散热性能,适合用于高密度PCB布局。工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业自动化、通信设备、医疗仪器和车载电子系统等应用场景。
在功能方面,该SRAM芯片具备异步控制接口,支持CE(芯片使能)、OE(输出使能)和WE(写使能)控制信号,允许用户灵活地进行数据读取和写入操作。此外,芯片的地址和数据总线独立设计,支持16位并行数据访问,提升了数据传输效率。
HM5264165FLTT-75 适用于多种需要高速数据存取的应用场景。常见的应用包括工业控制系统的缓存存储、通信设备中的数据缓冲、网络路由器和交换机的数据暂存、嵌入式系统的高速存储扩展、医疗仪器中的临时数据存储以及车载电子设备中的高速缓存单元。由于其高速访问性能和宽温工作特性,该芯片在对系统响应速度和稳定性要求较高的应用中表现尤为出色。
HM5264165FLTT-85
HM5264165FLTTP-75
IS61LV25616-8T