容量：16Mbit (1M x 16)
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：5.4ns（在3.3V供电时）
　　读取电流（典型值）：120mA
　　待机电流（典型值）：10mA
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-TSOP
　　接口类型：异步
　　数据总线宽度：16位

HM5264165DLTT-A60 采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗的双重优势。其高速访问时间（最大5.4ns）使其适用于需要快速数据存取的应用场景，如高速缓存、实时数据处理等。该器件支持异步操作，无需时钟信号，简化了与微处理器或控制器的接口设计。
　　该SRAM芯片具有宽工作电压范围（2.3V至3.3V），提高了其在不同应用环境下的兼容性和稳定性。同时，其待机电流非常低，有助于降低整体系统功耗，延长设备电池寿命，特别适合低功耗设计需求。
　　封装方面，该芯片采用工业标准TSOP封装，引脚数为54，尺寸紧凑，便于PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，可在各种严苛环境下稳定运行。此外，该器件具有高抗干扰能力和良好的数据保持能力，确保数据在复杂电磁环境中仍能可靠存储。

HM5264165DLTT-A60 广泛应用于需要高速存储和低功耗的电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备中的临时数据存储、通信模块的数据缓冲、测试测量仪器的临时存储器、医疗设备的数据采集系统以及消费类电子产品中的临时存储需求。
　　由于其高速访问时间和低功耗特性，该SRAM芯片也适用于便携式设备、智能卡读写器、图形处理单元（GPU）缓存、图像采集系统、网络交换设备和实时控制系统的数据存储与处理。

IS61LV10248ALLB4A1QLI-6T、CY62148EALL18ZS、AS6C1008-55PCN、IDT71V416SA85B、ISSI IS64LV10248AL