HM5216326FP10 时间：2025/9/7 9:47:41 阅读：23

HM5216326FP10 是一款由Hynix（现代半导体）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具体属于高速异步SRAM类别。该芯片设计用于需要高速数据存取和高可靠性的应用，如网络设备、工业控制设备、嵌入式系统等。HM5216326FP10 的容量为16384 x 32，即512KB，工作电压为3.3V，采用54引脚TSOP封装。

参数

容量：512KB（16384 x 32）
　　电压：3.3V
　　封装：54-TSOP
　　访问时间：10ns
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步
　　数据宽度：32位

特性

HM5216326FP10 SRAM芯片具有高速存取能力，访问时间为10ns，非常适合需要快速数据处理的应用场景。其异步接口设计简化了系统集成，降低了设计复杂度。芯片的512KB存储容量为中等规模的缓存和缓冲应用提供了足够的空间。此外，HM5216326FP10 的工作电压为3.3V，具有较低的功耗，同时在不同的工作条件下仍能保持稳定性能。该芯片采用54引脚TSOP封装，占用空间小，适用于紧凑型电子设备设计。
　　HM5216326FP10 的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣的环境条件下正常工作，确保了设备的可靠性。这款SRAM芯片还具有较强的抗干扰能力，能够有效防止外部电磁干扰对数据存储和传输的影响。其高速、低功耗、小封装和高可靠性等特点，使HM5216326FP10 成为工业控制、通信设备、测试仪器等领域的理想选择。

应用

HM5216326FP10 主要用于需要高速数据存储和处理的应用中，例如网络路由器和交换机、工业自动化设备、嵌入式系统、测试测量设备、数据采集系统等。由于其异步SRAM的特性，它也适用于需要低延迟和高稳定性的场合，例如实时控制系统和高精度仪器。此外，该芯片的小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计，如便携式设备和小型化电子产品。