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HM5216326FP10 发布时间 时间:2025/9/7 9:47:41 查看 阅读:4

HM5216326FP10 是一款由Hynix(现代半导体)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具体属于高速异步SRAM类别。该芯片设计用于需要高速数据存取和高可靠性的应用,如网络设备、工业控制设备、嵌入式系统等。HM5216326FP10 的容量为16384 x 32,即512KB,工作电压为3.3V,采用54引脚TSOP封装。

参数

容量:512KB(16384 x 32)
  电压:3.3V
  封装:54-TSOP
  访问时间:10ns
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步
  数据宽度:32位

特性

HM5216326FP10 SRAM芯片具有高速存取能力,访问时间为10ns,非常适合需要快速数据处理的应用场景。其异步接口设计简化了系统集成,降低了设计复杂度。芯片的512KB存储容量为中等规模的缓存和缓冲应用提供了足够的空间。此外,HM5216326FP10 的工作电压为3.3V,具有较低的功耗,同时在不同的工作条件下仍能保持稳定性能。该芯片采用54引脚TSOP封装,占用空间小,适用于紧凑型电子设备设计。
  HM5216326FP10 的工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在恶劣的环境条件下正常工作,确保了设备的可靠性。这款SRAM芯片还具有较强的抗干扰能力,能够有效防止外部电磁干扰对数据存储和传输的影响。其高速、低功耗、小封装和高可靠性等特点,使HM5216326FP10 成为工业控制、通信设备、测试仪器等领域的理想选择。

应用

HM5216326FP10 主要用于需要高速数据存储和处理的应用中,例如网络路由器和交换机、工业自动化设备、嵌入式系统、测试测量设备、数据采集系统等。由于其异步SRAM的特性,它也适用于需要低延迟和高稳定性的场合,例如实时控制系统和高精度仪器。此外,该芯片的小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计,如便携式设备和小型化电子产品。

替代型号

CY7C1380D-10BZXC、IS61LV25616-10B4BLI、IDT71V416S10PFG、AS7C34098A-10TC、CY7C1362B-10B4XI

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