时间：2025/9/7 7:11:10
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HM51W18165LTT-6 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的18位×165千位（2.97 Mbit）高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点，适用于需要高速数据存储和处理的工业、通信和消费类电子产品。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适合高密度PCB布局。
容量：2.97 Mbit
组织方式：x18（18位）
电源电压：3.3V
访问时间（tRC）：5.4ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
引脚数：54
数据保持电压：2V（最低）
最大工作频率：约185MHz
HM51W18165LTT-6 是一款高性能的异步SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计以及宽工作温度范围，适用于各种高性能系统设计。该芯片的访问时间仅为5.4ns，能够满足高速缓存和实时系统的需求。其采用的CMOS技术不仅保证了高速性能，还有效降低了静态和动态功耗，使其在低功耗应用场景中表现优异。
此外，该SRAM芯片支持异步操作，允许灵活的时序控制，并具备数据保持功能，在低电压条件下仍可维持数据完整性。其TSOP封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产装配，适用于高密度电路板设计。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于恶劣环境下的工业和通信设备。
HM51W18165LTT-6 主要应用于需要高速数据缓冲和存储的场合，如网络路由器、交换机、工业控制系统、图像处理设备、测试测量仪器以及嵌入式系统中的高速缓存或临时数据存储模块。其高可靠性和宽温特性也使其适用于汽车电子和工业自动化等严苛环境。
CY7C185-15VC、IDT71V18165SA、IS61WV18165BLL
