容量：1M x 16位
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　访问时间：5.4ns（典型值）
　　最大工作频率：约166MHz（对应访问时间）
　　刷新周期：64ms
　　数据输出类型：三态输出

HM5165165FTT6具备高速访问能力，其5.4ns的访问时间使其适用于高性能存储系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态功耗，同时在高频工作时仍能保持良好的稳定性。其1M x 16位的组织结构提供2MB的存储容量，适合用于需要大量数据存储的应用。此外，该芯片支持标准的DRAM刷新机制，确保数据在断电前不会丢失。
　　在封装方面，HM5165165FTT6采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的电路板设计。其54引脚的配置支持标准的地址、数据和控制信号接口，便于与各类主控芯片或存储控制器连接。
　　此外，该芯片具备工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种恶劣环境下的应用，如工业自动化、通信设备和车载电子系统。

HM5165165FTT6广泛应用于需要高速存储的电子系统中，例如个人电脑的扩展内存模块、工业控制设备中的缓存系统、嵌入式系统的临时数据存储、通信设备中的高速数据缓冲等。其高性能和低功耗特性也使其适用于图像处理、视频采集和实时数据处理等场景。由于其TSOP封装体积小巧，因此也常用于便携式设备和空间受限的主板设计中。

IS42S16160B-6T, CY7C1380B-5A, IDT71V124SA, ISSI IS42S16160G-6T