容量：4 Mbit
　　组织方式：x4位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：55 ns / 70 ns / 85 ns（根据不同版本）
　　封装类型：28引脚 PDIP
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　刷新周期：64 ms
　　数据保持电压：2V
　　最大工作电流：约200 mA

HM514900JP8 是一款标准的DRAM芯片，具备以下显著特性：
　　1. 高容量：在当时的技术条件下，该芯片提供了4 Mbit的存储容量，适用于需要较高数据处理能力的系统设计。
　　2. 快速访问时间：其最快版本的访问时间仅为55 ns，能够满足当时计算机系统的高速访问需求。
　　3. PDIP封装：采用28引脚塑料双列直插式封装，便于手工焊接和插拔，适合用于早期的实验板或工业控制设备。
　　4. 标准化设计：该芯片符合JEDEC标准，确保了在不同系统中的兼容性和稳定性。
　　5. 低功耗设计：尽管工作电压为5V，但其功耗控制较好，适用于对功耗有一定要求的应用场景。
　　6. 支持数据保持模式：在低电压情况下，芯片能够保持数据不丢失，从而提高了系统的可靠性。
　　7. 支持异步操作：该芯片为异步DRAM，能够根据系统的时钟信号进行灵活的读写操作。

HM514900JP8 主要用于以下领域：
　　1. 早期个人计算机的主存储器模块，如SIMM或DRAM模块。
　　2. 工业控制系统中用于高速数据缓存。
　　3. 嵌入式设备中作为主存储器使用。
　　4. 实验开发板或教学设备中用于学习和测试DRAM的工作原理。
　　5. 一些需要临时存储大量数据的测量仪器或自动化设备。

由于HM514900JP8是较早期的DRAM芯片，目前市场上可能已经较少供应。其替代型号包括：HM514900JP-55（访问时间为55 ns）、HM514900JP-70（访问时间为70 ns）、HM514900JP-85（访问时间为85 ns）。