HM514400CZ8是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片的容量为16MB(兆字节),采用4M x 4位的组织结构,属于早期的DRAM产品之一,适用于需要中等存储容量的电子设备。HM514400CZ8的工作电压为5V,支持快速页面模式(Fast Page Mode, FPM),是20世纪90年代个人计算机和工业控制系统中常见的内存芯片之一。
容量:16MB
组织结构:4M x 4位
工作电压:5V
访问时间:8ns
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
引脚数:50
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据保持电压:2V
刷新周期:64ms
HM514400CZ8是一款标准的快速页面模式DRAM芯片,具备较高的稳定性和较低的成本。其主要特性包括:快速页面模式允许在相同行地址下连续读取或写入多个列地址,从而提高数据访问效率;5V工作电压使其兼容于当时主流的电源管理系统;8ns的访问时间意味着该芯片具有较快的数据响应能力,适用于对性能有一定要求的系统。此外,该芯片采用TSOP封装,有助于提高电路板的空间利用率并降低电磁干扰(EMI)。HM514400CZ8还具备标准的刷新机制,确保数据在断电前能够被周期性地更新,防止数据丢失。
HM514400CZ8广泛应用于早期的个人计算机、工作站、工业控制设备、通信设备和嵌入式系统中,作为主存储器或缓存使用。在PC领域,该芯片常用于构建早期的SIMM(单列直插内存模块)或DIMM(双列直插内存模块),以满足当时操作系统和应用程序对内存容量的需求。在工业控制和通信设备中,HM514400CZ8可用于提供临时数据存储和缓存功能,确保系统运行的稳定性。
目前市场上已很难找到与HM514400CZ8完全兼容的替代型号,因为现代电子设备已普遍采用更高密度、更低功耗的DRAM技术,如SDRAM、DDR SDRAM等。若需替代该芯片,可考虑使用类似的FPM DRAM芯片,如TC514400CZ8(由Toshiba生产)或MT48LC16M4A2B4-6A(由Micron生产),但需注意其封装、容量及引脚定义是否匹配。