时间：2025/9/7 2:20:20
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HM514400CS-6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的4Mbit（512K x 8）高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统和工业控制设备。该器件采用52引脚SOJ（Small Outline J-Lead）封装，工作温度范围通常为工业级（-40°C至+85°C），确保在严苛环境下的稳定运行。
容量：4Mbit (512K x 8)
电压范围：5V ± 10%
访问时间：最大6ns（HM514400CS-6）
封装类型：52引脚 SOJ
工作温度：-40°C 至 +85°C
输入/输出电压：兼容TTL电平
功耗：典型值约200mA（待机模式下电流小于10mA）
引脚兼容性：与其他高速SRAM兼容
控制信号：/CE（片选）、/OE（输出使能）、/WE（写使能）
地址线：A0-A18（共19根）
数据线：I/O0-I/O7
HM514400CS-6是一款高性能的静态存储器，具备高速访问能力和低功耗特性。其最大访问时间为6ns，适用于对存取速度有高要求的系统。该芯片在CMOS技术基础上实现了高速与低功耗的结合，在待机模式下功耗极低，非常适合需要节能设计的应用场景。此外，其工业级温度范围确保了在恶劣环境下的稳定性，使其适用于工业自动化、测试设备和通信基础设施等领域。芯片的引脚排列设计也便于PCB布线，提高系统集成的灵活性和可靠性。
HM514400CS-6适用于多种需要高速缓存和临时数据存储的电子系统，如工业控制设备、通信模块、网络交换设备、测试与测量仪器以及嵌入式系统。其高速和低功耗特性也使其在需要快速数据访问和节能设计的场合中表现优异，例如数据缓冲、图像处理缓存、协议转换设备等。
Cypress CY62148EVLL-45ZSXI, ISSI IS61LV25616ALBLL-6T
