HM514400BZ7是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于早期的DRAM产品系列,广泛应用于上世纪90年代的计算机系统和嵌入式设备中。作为一款4Mbit容量的DRAM芯片,HM514400BZ7在当时具备较高的存储密度和稳定的性能,适用于早期个人计算机、工业控制设备以及通信设备中的主存储器或缓存模块。
容量:4Mbit
组织结构:1M x 4
电源电压:5V
封装类型:SOJ(Small Outline J-Lead)
引脚数:20
访问时间:70ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
HM514400BZ7是一款静态访问的DRAM芯片,具备低功耗设计,适用于需要中等容量存储的系统。其采用SOJ封装形式,具有较好的散热性能和机械稳定性,适合在空间受限的电路板上使用。该芯片的访问时间为70ns,确保了在当时主流计算机系统中的兼容性和运行效率。
该芯片支持标准的DRAM控制信号,包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE)信号,便于系统设计者进行内存控制器的设计与集成。此外,其工作电压为5V,符合当时的电源标准,确保了在各种环境下的稳定运行。
由于其4Mbit的容量和1M x 4的组织结构,该芯片常被用于构建更大容量的内存模块,例如通过并行连接多个芯片来形成x32或x64的数据总线宽度,从而满足不同应用对内存容量和带宽的需求。在工业控制、通信设备以及早期PC的扩展内存模块中均有广泛应用。
HM514400BZ7主要应用于需要4Mbit存储容量的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及老式个人计算机的内存扩展卡。由于其良好的稳定性和兼容性,该芯片也常用于一些需要长期运行的工业设备中,如自动化控制系统、数据采集设备以及测试仪器等。此外,在一些需要低功耗和中等容量存储的便携式设备中也有应用案例。
IS61LV25616A-10B4I