时间：2025/9/7 3:46:54
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HM514400BZ7是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于早期的DRAM产品系列，广泛应用于上世纪90年代的计算机系统和嵌入式设备中。作为一款4Mbit容量的DRAM芯片，HM514400BZ7在当时具备较高的存储密度和稳定的性能，适用于早期个人计算机、工业控制设备以及通信设备中的主存储器或缓存模块。
容量：4Mbit
组织结构：1M x 4
电源电压：5V
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：20
访问时间：70ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
HM514400BZ7是一款静态访问的DRAM芯片，具备低功耗设计，适用于需要中等容量存储的系统。其采用SOJ封装形式，具有较好的散热性能和机械稳定性，适合在空间受限的电路板上使用。该芯片的访问时间为70ns，确保了在当时主流计算机系统中的兼容性和运行效率。
该芯片支持标准的DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE）信号，便于系统设计者进行内存控制器的设计与集成。此外，其工作电压为5V，符合当时的电源标准，确保了在各种环境下的稳定运行。
由于其4Mbit的容量和1M x 4的组织结构，该芯片常被用于构建更大容量的内存模块，例如通过并行连接多个芯片来形成x32或x64的数据总线宽度，从而满足不同应用对内存容量和带宽的需求。在工业控制、通信设备以及早期PC的扩展内存模块中均有广泛应用。
HM514400BZ7主要应用于需要4Mbit存储容量的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及老式个人计算机的内存扩展卡。由于其良好的稳定性和兼容性，该芯片也常用于一些需要长期运行的工业设备中，如自动化控制系统、数据采集设备以及测试仪器等。此外，在一些需要低功耗和中等容量存储的便携式设备中也有应用案例。
IS61LV25616A-10B4I
