HM514400BZ6 时间：2025/9/7 9:06:28 阅读：15

HM514400BZ6 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，其容量为16兆位（1M x 16），采用48引脚TSOP（Thin Small Outline Package）封装。该芯片属于FPRAM（Fast Page Mode RAM）类型，广泛应用于需要中等容量高速存储的电子设备中。

参数

容量：16Mbit（1M x 16）
　　电压：5V
　　封装类型：48-TSOP
　　访问时间：5.4ns（如HM514400BZ6T）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　存储类型：DRAM（动态RAM）

特性

HM514400BZ6是一款高性能DRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片支持快速页面模式（Fast Page Mode），允许在同一行地址中快速访问多个列地址，从而提高数据读写效率。该芯片的5.4ns访问时间使其适用于对速度有一定要求的应用场景，如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等。
　　此外，该芯片采用48引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB布局。其工作电压为5V，符合当时DRAM标准，且具备工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在较为恶劣的环境条件下稳定运行。
　　在数据保持方面，HM514400BZ6采用动态刷新机制，需外部控制器定期刷新数据，以防止数据丢失。该芯片的刷新周期通常为64ms，满足大多数应用的需求。同时，其并行接口设计支持高速数据传输，适用于需要较大带宽的应用场景。

应用

HM514400BZ6 主要用于需要高速、中等容量存储的设备中，例如工业控制设备、通信设备、网络设备、视频采集与处理系统等。由于其具备较快的访问速度和工业级工作温度范围，该芯片适用于嵌入式系统的主存储器或高速缓存部分。此外，在某些老款计算机外围设备、测量仪器及嵌入式处理器模块中，也可发现该芯片的身影。