HM514400AZ-8是一款由Hynix Semiconductor(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片的型号表明其为高速DRAM,容量为16MB,通常用于需要高速数据访问的电子设备中。HM514400AZ-8采用标准DRAM架构,支持异步和同步操作模式,适用于多种应用场景,包括嵌入式系统、工业控制设备和早期计算机系统。
容量:16MB
数据宽度:4位
电压:3.3V
访问时间:8ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
HM514400AZ-8是一款高性能DRAM芯片,具有较快的访问时间(8ns),能够满足高速数据处理的需求。该芯片支持异步和同步操作模式,用户可以根据应用需求选择合适的操作方式。其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和较低的引脚数,便于在电路板上安装和布线。
该芯片的工作电压为3.3V,相比传统的5V供电DRAM芯片,功耗更低,适用于对功耗有要求的应用场景。此外,HM514400AZ-8具备工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在较恶劣的环境条件下稳定工作,提高了其可靠性和适用性。
在数据存储方面,HM514400AZ-8采用16MB的存储容量和4位的数据宽度,适合用于缓存、临时数据存储等对存储密度和访问速度有一定要求的场合。该芯片的结构设计使其能够与多种主控芯片或系统架构兼容,提升了其灵活性和通用性。
HM514400AZ-8通常应用于需要高速数据存取的嵌入式系统,如工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。此外,该芯片也可用于早期的计算机系统作为系统内存或图形存储器使用。由于其工业级温度范围和可靠的性能,该芯片在工业自动化、网络设备和数据采集系统中也有广泛的应用。
TC55V1602HFT-85, CY62167EV30LL-85ZS