HM514400AS-8是一款由Hynix Semiconductor(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于高速DRAM产品系列,广泛用于早期的计算机系统和嵌入式设备中,用于临时数据存储和高速缓存。其设计旨在提供较高的数据存取速度和稳定性,适用于需要快速响应的系统环境。
容量:4MB
组织结构:1M x 4位
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
引脚数:50
工作电压:5V
访问时间:8ns
最大工作频率:125MHz
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
HM514400AS-8是一款高速DRAM芯片,具备优异的性能和可靠性。其高速访问时间为8ns,支持高达125MHz的工作频率,适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用低功耗设计,能够在5V电源电压下稳定运行,同时具有良好的抗干扰能力和热稳定性。此外,TSOP封装形式使其适用于高密度PCB布局,适合在空间受限的电子设备中使用。
该芯片还具备良好的兼容性,能够与多种主控芯片和处理器协同工作,广泛应用于早期的个人计算机、工业控制设备、通信设备以及嵌入式系统中。其1M x 4位的组织结构使其适用于图像处理、缓存存储等需要高带宽的应用场合。
HM514400AS-8主要应用于需要高速数据存储和快速访问的系统,例如早期的个人计算机、图形加速卡、工业控制设备、通信设备以及嵌入式系统。由于其高速性能和紧凑的封装形式,该芯片也常用于视频处理设备、数据采集系统和实时控制系统中,为系统提供高效的数据缓存和临时存储能力。
HM514400AS-8的替代型号包括ISSI的IS42S16400F-8T和Alliance的AS4C1000G4S233B1。