时间：2025/9/7 0:39:39
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HM514260CJ-6R是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM存储器，主要用于早期的计算机系统、嵌入式系统和工业控制设备中。这款DRAM芯片以其稳定性和良好的性能在当时的市场中占据一席之地。
容量：256K x 4位
电压：5V
访问时间：60ns
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：28
工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
HM514260CJ-6R 是一款高速DRAM芯片，其核心特性包括低功耗设计、高速访问时间和高可靠性。该芯片的访问时间为60纳秒，使其能够满足对性能有一定要求的应用场景。此外，该芯片采用标准的28引脚SOJ封装，便于集成到各种电路板上。由于其工作温度范围宽，适合在工业环境和嵌入式系统中使用。
HM514260CJ-6R的设计确保了其在高密度存储应用中的稳定运行。其4位数据宽度的结构使其适用于早期的图形处理和数据缓存任务。此外，该芯片在电源管理方面也表现出色，能够在不使用时进入低功耗模式，延长设备的使用寿命。
HM514260CJ-6R 主要用于早期的计算机系统、工业控制设备、嵌入式系统以及需要中等容量内存的电子设备中。由于其高速访问时间和宽工作温度范围，它也常用于一些需要可靠内存解决方案的工业应用。此外，该芯片也可用于一些消费类电子产品，如老式游戏机、图形卡和通信设备中。
TC514260CJ-60, CY7C14260CJ-60, KM514260CJ-60
