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HM5118165LJI6 发布时间 时间:2025/9/7 4:42:46 查看 阅读:4

HM5118165LJI6 是由Hynix(现代半导体)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片采用标准的TSOP封装形式,适用于需要较高存储密度和快速存取速度的应用场景。HM5118165LJI6的存储容量为16MB,工作电压为3.3V,适用于需要中等存储容量但对功耗有一定要求的设备。该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信设备中。

参数

容量:16MB
  组织结构:1M x16
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大访问时间:5.4ns
  最大工作频率:166MHz
  数据保持时间:自动刷新
  

特性

HM5118165LJI6是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,具有较高的数据存取速度和稳定性。该芯片采用现代半导体的先进制造工艺,确保了其在高频操作下的可靠性。其高速访问时间为5.4ns,支持高达166MHz的工作频率,能够满足许多对速度有较高要求的应用需求。此外,HM5118165LJI6支持自动刷新功能,确保数据在不被访问时也能保持完整,减少了外部控制器的负担。其工作电压为3.3V,相较于传统的5V供电DRAM芯片,具有更低的功耗和更高的能效。该芯片采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸,适合在空间受限的设备中使用。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,使其能够在较为恶劣的环境中稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。HM5118165LJI6的x16组织结构也使其在数据吞吐量上表现优异,适合需要并行数据传输的应用场景。

应用

HM5118165LJI6 主要应用于需要中等容量存储的设备中,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信模块以及消费类电子产品。例如,它可用于路由器、交换机、打印机、图像处理设备以及智能家电等设备中的临时数据存储。由于其高速存取能力和较低的功耗,HM5118165LJI6也常用于视频采集设备、医疗成像设备或测试仪器等对数据处理速度有一定要求的场合。此外,在需要频繁数据更新和高速缓存的应用中,该芯片也表现出色。

替代型号

HM5118165LJI6-6T, HM5118165LJC6, MT48LC16M16A2B4-6A

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