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HM5118160LTT-5 发布时间 时间:2025/9/6 12:51:22 查看 阅读:6

HM5118160LTT-5 是由东芝(Toshiba)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 16位,即总容量为4MB。这款芯片通常用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景,例如工业控制、通信设备、嵌入式系统和测试仪器。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装,适合在空间受限的电路板上使用。

参数

类型:SRAM
  容量:256K x 16位(4MB)
  电源电压:3.3V
  访问时间:5ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  接口类型:并行接口
  最大工作频率:166MHz
  数据保持电压:2V(最小值)

特性

HM5118160LTT-5 是一款高性能SRAM芯片,具有快速的访问时间和低功耗特性,适用于各种高性能计算和数据存储应用。该芯片的高速访问时间为5ns,支持高达166MHz的工作频率,这使得它能够在高速系统中提供稳定的数据传输性能。芯片的电源电压为3.3V,具有较低的功耗,同时在数据保持模式下,最低可降至2V以维持数据完整性,从而进一步降低功耗。HM5118160LTT-5 采用TSOP封装技术,体积小巧,适合在高密度PCB设计中使用。
  该芯片支持异步操作,能够适应多种系统架构,并具有较高的抗干扰能力。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外,HM5118160LTT-5 的并行接口设计允许其与多种微处理器和控制器直接连接,简化了系统设计并提高了整体性能。

应用

HM5118160LTT-5 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取的系统中,例如网络设备、工业控制设备、嵌入式系统、测试和测量仪器以及通信模块。由于其低功耗和高速特性,它也常用于需要缓存和临时数据存储的场合,例如图像处理、实时数据缓冲和高速缓存控制器。

替代型号

ISSI IS61LV25616-10B4I,Cypress CY62148BLL-55B2C,Alliance AS7C3256 LTC-5TQI

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