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HM5118160BLTT6 发布时间 时间:2025/9/6 18:50:58 查看 阅读:31

HM5118160BLTT6 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片的容量为16MB,采用1M x16的组织结构,支持快速页模式(Fast Page Mode)操作,广泛应用于早期的计算机系统、嵌入式设备以及需要大容量内存支持的工业控制系统中。这款DRAM芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,工作温度范围宽,适用于各种工业级应用环境。

参数

容量:16MB
  组织结构:1M x 16
  封装类型:TSOP
  工作电压:5V
  访问时间:55ns / 60ns / 70ns(根据具体后缀)
  刷新方式:自动刷新(Auto-refresh)或自刷新(Self-refresh)
  数据输出类型:三态输出
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:54

特性

HM5118160BLTT6 是一款标准的快速页模式DRAM芯片,具有良好的数据存取性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. 容量适中,适合中等规模内存系统的构建。
  2. 支持多种访问时间选项(如55ns、60ns、70ns),可根据系统时钟频率灵活选择。
  3. 采用5V供电设计,兼容早期的逻辑电平标准,便于与传统控制器接口连接。
  4. 提供自动刷新和自刷新两种刷新模式,自动刷新由外部控制器管理,而自刷新则可在低功耗模式下保持数据完整性,适合需要节能的应用场景。
  5. TSOP封装设计减小了封装尺寸,提高了机械稳定性和散热性能,适用于高密度PCB布局。
  6. 工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于严苛环境下的工业和通信设备。
  7. 三态数据输出允许将多个存储器设备连接到同一数据总线,提高了系统的扩展性和集成度。

应用

HM5118160BLTT6 常用于需要大容量内存支持的嵌入式系统、老式个人计算机、图形加速卡、视频监控设备、工业控制设备以及通信模块中。由于其稳定性和兼容性,该芯片也常被用于一些需要长期运行的工业设备和测试仪器中。

替代型号

IS61LV10248ALLB55HBLI, CY62148EVLL, A611-60PCN, HY57V641620BTC-6A

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