时间：2025/9/6 18:50:58
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HM5118160BLTT6 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片的容量为16MB，采用1M x16的组织结构，支持快速页模式（Fast Page Mode）操作，广泛应用于早期的计算机系统、嵌入式设备以及需要大容量内存支持的工业控制系统中。这款DRAM芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，工作温度范围宽，适用于各种工业级应用环境。
容量：16MB
组织结构：1M x 16
封装类型：TSOP
工作电压：5V
访问时间：55ns / 60ns / 70ns（根据具体后缀）
刷新方式：自动刷新（Auto-refresh）或自刷新（Self-refresh）
数据输出类型：三态输出
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：54
HM5118160BLTT6 是一款标准的快速页模式DRAM芯片，具有良好的数据存取性能和稳定性。其主要特性包括：
1. 容量适中，适合中等规模内存系统的构建。
2. 支持多种访问时间选项（如55ns、60ns、70ns），可根据系统时钟频率灵活选择。
3. 采用5V供电设计，兼容早期的逻辑电平标准，便于与传统控制器接口连接。
4. 提供自动刷新和自刷新两种刷新模式，自动刷新由外部控制器管理，而自刷新则可在低功耗模式下保持数据完整性，适合需要节能的应用场景。
5. TSOP封装设计减小了封装尺寸，提高了机械稳定性和散热性能，适用于高密度PCB布局。
6. 工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于严苛环境下的工业和通信设备。
7. 三态数据输出允许将多个存储器设备连接到同一数据总线，提高了系统的扩展性和集成度。
HM5118160BLTT6 常用于需要大容量内存支持的嵌入式系统、老式个人计算机、图形加速卡、视频监控设备、工业控制设备以及通信模块中。由于其稳定性和兼容性，该芯片也常被用于一些需要长期运行的工业设备和测试仪器中。
IS61LV10248ALLB55HBLI, CY62148EVLL, A611-60PCN, HY57V641620BTC-6A
