容量：1Mbit
　　组织结构：16位×65536字
　　电源电压：5V
　　访问时间（tRC）：6ns
　　封装形式：SOJ（Small Outline J-Lead）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　引脚数：50
　　数据输出方式：三态输出
　　刷新方式：自动刷新
　　时钟频率：异步操作，无需时钟信号

HM5118160BLJ-6 是一款高性能的异步DRAM芯片，具有较快的访问速度，适用于需要快速数据存取的应用场景。其6ns的访问时间使其在当时属于高速DRAM产品之一，能够满足大多数高速计算和数据处理需求。该芯片采用SOJ封装形式，具有良好的机械稳定性和热稳定性，适用于工业级环境。
　　该芯片采用异步控制方式，不需要同步时钟信号，因此在设计上更为灵活，适用于多种系统架构。同时，其三态输出功能可以有效减少数据总线上的冲突，提高系统的稳定性和兼容性。
　　此外，HM5118160BLJ-6 支持自动刷新功能，能够有效延长数据的存储时间，减少外部控制器的负担。这种特性使得它在需要长时间数据保持的应用中表现优异，例如工业控制系统、嵌入式设备、老式计算机系统等。
　　由于其16位数据宽度的设计，该芯片能够提供较高的数据吞吐量，适用于需要大量数据存储和快速访问的场景。其5V电源供电方式也使其兼容性较强，适用于多种老式电子系统。

HM5118160BLJ-6 通常用于早期的个人计算机、工业控制设备、通信设备、嵌入式系统以及需要大容量高速缓存的应用场合。在老式工作站、图形加速卡以及某些嵌入式控制器中，这款DRAM芯片也经常被使用。其高速存取能力与良好的稳定性使其成为当时工业设备中理想的存储解决方案。

目前市场上已难以找到与 HM5118160BLJ-6 完全兼容的新型号，因其属于较老的DRAM产品。但在某些应用中，可以考虑使用其他类型的SRAM或Flash存储器配合控制器实现类似功能。替代型号包括但不限于：CY7C1041CV33-10ZSXI、IS61LV25616-10T等。