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HM5118160BJ-6 发布时间 时间:2025/9/6 14:38:21 查看 阅读:24

HM5118160BJ-6 是一款由Hitachi(日立)公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有16K x 8位的存储容量,适用于需要高速数据访问的应用场景。HM5118160BJ-6采用了CMOS技术,具备低功耗和高速性能的特点,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等应用。该芯片的封装形式为28引脚SSOP,适用于紧凑型电路设计。

参数

容量:16K x 8位
  电源电压:5V
  访问时间:6ns
  封装类型:28引脚SSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口
  功耗:典型值150mA
  数据保持电压:2V
  最大时钟频率:166MHz

特性

HM5118160BJ-6是一款高速SRAM芯片,具备低功耗和高可靠性的特点。该芯片的访问时间为6ns,能够满足高速数据处理的需求。其采用的CMOS技术确保了在低电压条件下的稳定运行,同时具备良好的抗干扰能力。芯片内置地址和数据缓冲器,能够提高系统的稳定性。此外,HM5118160BJ-6具备数据保持功能,在低功耗模式下仍能保持数据不丢失,适用于需要长时间运行的应用场景。芯片的封装形式为28引脚SSOP,适合高密度PCB布局,并具备良好的散热性能。
  该芯片还具备宽温工作范围,能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定运行,适用于各种恶劣环境。其并行接口设计支持快速的数据交换,适用于嵌入式系统、工业控制和通信设备等应用场景。HM5118160BJ-6的高速访问能力和低功耗特性使其成为许多高性能系统中的理想选择。

应用

HM5118160BJ-6广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信模块以及测试仪器等场景。其高速访问时间和低功耗特性使其非常适合用于缓存、缓冲存储器以及需要快速数据交换的控制系统。该芯片也常用于视频处理设备、医疗电子设备以及车载电子系统等对数据存储和访问速度有较高要求的应用场景。此外,HM5118160BJ-6还可用于高性能单片机系统,作为外部存储器扩展,提升系统运行效率。

替代型号

IS61WV1008EBLL-6BTR

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