HM5117400AS6 是由日立(Hitachi)公司生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片具有高速读写性能,适用于需要高性能存储器的电子设备和系统中。SRAM相比于DRAM不需要定期刷新,因此具备更高的稳定性和更低的延迟,适合用作高速缓存或其他关键应用。
类型:SRAM(静态随机存取存储器)
容量:16K x 4 位(共64KB)
电压:5V
访问时间:10ns(最大)
封装:TSOP(薄型小尺寸封装)
引脚数:32
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
HM5117400AS6 芯片具有多项显著特性,首先其访问时间为10ns,这意味着它可以支持高速数据读写操作,适用于对响应时间有较高要求的应用场景。此外,该芯片采用32引脚TSOP封装,具有较高的集成度和较小的封装体积,适合用于空间受限的电路设计中。芯片的工作电压为标准5V,这使其能够兼容许多常见的数字电路系统。由于采用SRAM技术,无需刷新电路,从而降低了功耗并提高了数据的可靠性。
此外,该芯片的工业级工作温度范围为-40°C至+85°C,确保其在各种环境条件下都能稳定运行,特别适合工业控制、通信设备以及嵌入式系统等应用。其高稳定性和抗干扰能力也使其在恶劣环境中表现优异。
HM5117400AS6 SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备以及消费电子产品。其高速访问特性和工业级温度范围,使其特别适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场景,例如缓存存储器、实时数据缓冲区、图形处理器显存等。在需要高速数据处理的系统中,如路由器、交换机、测试设备和自动化控制设备中,该芯片可以作为关键的数据存储单元,确保系统的高效运行。
CY62148BLL-55ZXI, IS61LV25616-10B4BLI, IDT71V416S10Y5