容量：16K x 8 位
　　组织方式：16K x 8
　　电源电压：5V
　　访问时间：55ns/70ns/100ns（根据型号后缀不同）
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　封装类型：28引脚塑料DIP
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大工作电流：120mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）
　　封装尺寸：约15.24mm x 30.48mm

HM511665JP8 SRAM芯片的核心特性之一是其高速访问时间，提供55ns、70ns和100ns的选项，满足不同性能需求。该芯片使用CMOS技术，使其在高速运行的同时保持较低的功耗，尤其是在待机模式下电流消耗极低，延长了设备的电池寿命。其TTL兼容输入/输出电平使其能够轻松与多种逻辑电路集成，无需额外的电平转换器。该芯片具有高抗干扰能力，能够在嘈杂的电气环境中稳定工作，适合工业和通信设备的使用。此外，HM511665JP8采用了28引脚塑料DIP封装，便于安装和更换，适用于多种电路板布局。

HM511665JP8 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储的场合，例如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、测试仪器和消费类电子产品。在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器或缓存，提高系统响应速度和数据处理能力。在工业自动化设备中，HM511665JP8可用于存储程序和关键数据，确保设备的稳定运行。此外，该芯片也可用于老式计算机系统和外围设备的内存扩展。

HM511665JP-55，HM511665JP-70，HM511665JP-100，CY62167VLL-55ZXI，IDT71V1665SA85B，AS6C6216-55PCN