HM511664LJ8是一款由HITACHI(日立)公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16K x 4位,采用高速CMOS工艺制造。该芯片广泛应用于需要高速数据访问的工业设备、通信系统和嵌入式系统中。
容量:16K x 4位
电源电压:5V
访问时间:8ns(最大)
封装类型:28引脚 SOJ(Small Outline J-Lead)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
输入/输出电压兼容性:TTL兼容
封装尺寸:约18.1mm x 7.6mm
HM511664LJ8是一款高速SRAM芯片,具备低功耗和高可靠性的特点。
其8ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时系统中的数据存储。
该芯片采用CMOS工艺,具有较低的静态电流,有助于降低整体功耗。
其28引脚SOJ封装形式适用于空间受限的PCB设计,并具备良好的散热性能。
该芯片的TTL兼容输入/输出接口使其能够轻松集成到现有系统中,无需额外的电平转换电路。
此外,其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)确保了在恶劣工业环境下的稳定运行。
HM511664LJ8主要用于需要高速存储器的工业控制系统、通信设备、网络路由器、嵌入式处理器系统以及测试测量设备。
该芯片特别适用于高速缓存、临时数据缓冲和实时处理系统中的存储需求。
由于其低功耗设计和高速性能,也常被用于便携式电子设备和车载电子系统中。
CY62167VLL-85SC, IS61LV25616-8TLI, IDT71V416SA85B