容量：16K x 4位
　　访问时间：55ns
　　工作电压：5V
　　封装类型：28引脚DIP
　　接口类型：并行
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　功耗：典型值约150mA
　　输入/输出电平：TTL兼容

HM511664JP8 采用高速CMOS技术，具备快速的访问时间和较低的功耗，非常适合对性能和能效都有一定要求的应用场景。其55ns的访问时间使得它在当时的SRAM产品中具有较强的竞争力，能够满足高速数据处理的需求。此外，该芯片的TTL兼容输入/输出电平确保它可以与多种数字电路无缝连接，而无需额外的电平转换器。HM511664JP8 的28引脚DIP封装设计使其适用于通孔焊接的PCB设计，同时也便于手工焊接和调试。芯片的工作温度范围为商业级（0°C至70°C），适用于大多数非极端环境条件下的应用。此外，其低待机电流和稳定的运行性能使其成为电池供电设备或对功耗敏感的系统中的理想选择。
　　由于其稳定的性能和广泛的应用范围，HM511664JP8 在上世纪90年代被广泛应用于个人计算机的高速缓存、网络设备、测试仪器以及其他需要快速存储访问的场合。虽然现代系统中已被更高密度和更低功耗的存储技术所取代，但在一些老旧设备维护或复古电子项目中，该芯片仍然具有一定的实用价值。

HM511664JP8 主要用于早期的个人计算机高速缓存、工业控制设备、通信模块、测试与测量仪器、嵌入式系统以及各种需要低功耗、高速存储访问的电子设备。由于其TTL兼容性，该芯片也常用于与旧式处理器和控制器的接口设计中。此外，该芯片在复古电子设备修复、电子教育实验平台以及DIY电子项目中也有一定的应用，特别是在需要SRAM作为数据存储介质的场合。

CY62167VLL-55ZSXC, IS61LV25616-55B4BLI, IDT71V416S08YG8