时间：2025/9/7 10:41:34
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HM5116400S-6是一款由HITACHI（现为Renesas）制造的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于早期的16MB（1M x 16位）DRAM系列。该芯片采用CMOS工艺制造，工作电压为5V，具有高速存取能力，适用于早期的计算机系统、工业控制设备和嵌入式系统中的内存扩展应用。
容量：16MB（1M x 16位）
电压：5V
访问时间：6ns（最大）
封装：54引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步DRAM接口
刷新周期：64ms
HM5116400S-6是一款高性能的DRAM芯片，具备高速存取能力，其访问时间仅为6ns，适用于对数据读写速度有较高要求的系统。该芯片采用标准的异步DRAM接口，兼容大多数早期的主控器和内存控制器，便于集成到多种系统中。其16MB的存储容量在当时广泛用于个人电脑、图形卡、工业控制设备等产品中。
此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的稳定性。其封装形式为54引脚TSOP，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。HM5116400S-6还支持自动刷新和自刷新功能，可有效延长数据保存时间，减少系统维护负担。由于其工业级温度范围，该芯片适用于较为恶劣的工业环境，具有良好的可靠性和耐久性。
HM5116400S-6主要应用于早期的计算机系统中作为主内存或图形内存，也常见于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备以及一些老式消费电子产品中。由于其高速性和相对较大的存储容量，在20世纪90年代末至2000年代初期广泛用于图形加速卡、工控主板及网络设备中，作为缓存或临时数据存储单元。此外，该芯片也适用于需要大量临时存储空间的测试设备和自动化控制系统。
TC51V16164AFT-6, HY57V161640BTC-6B2, KM416S1630CT-6
