时间：2025/9/6 18:38:29
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HM5116160TLL6 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于高速CMOS DRAM器件，广泛用于需要高速数据存储和访问的电子设备中，如个人电脑、工业控制系统、通信设备以及嵌入式系统等。其主要功能是作为主存储器，用于临时存储处理器需要处理的数据和指令。
容量：16Mb（1M x 16）
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
接口类型：异步
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：5.4ns
封装尺寸：54-pin
数据宽度：16位
刷新方式：自动刷新/自刷新
最大工作频率：约166MHz
HM5116160TLL6 是一款高性能的DRAM芯片，具有较低的功耗和较高的集成度。其异步接口允许灵活地与多种控制器配合使用，而自动刷新和自刷新功能则有效降低了外部控制器的负担，提高了系统的稳定性。该芯片的高速访问时间使其适用于需要快速数据存取的场合，例如高速缓存、帧缓冲存储器和网络设备中的数据缓冲。此外，TSOP封装提供了良好的散热性能和较小的PCB占用空间，非常适合高密度电路设计。由于其工业级工作温度范围，HM5116160TLL6 可在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业自动化、通信基础设施等对可靠性要求较高的应用场景。
HM5116160TLL6 主要应用于需要高速、低功耗存储的场合。典型应用包括工业控制设备、通信设备、嵌入式系统、视频采集和显示设备、网络交换设备以及老式个人计算机或工作站的内存扩展。此外，由于其异步接口设计，该芯片也常用于与FPGA或ASIC配合使用的场景中，作为高速缓存或数据缓冲存储器，提高系统整体性能。
ISSI IS42S16160B-6T, Micron MT48LC16M16A2B4-6A, Cypress CY7C1316KV18-6A
