时间：2025/9/7 11:10:17
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HM5116160CLTT-6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的16位静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K x 16位，工作电压为5V。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存取的系统应用，如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及通信设备等。
容量：256K x 16位
工作电压：5V
访问时间：5.4ns（最大）
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据保持电压：2V
封装尺寸：约8mm x 20mm
封装类型：CLTT（TSOP-II）
时序类型：异步
最大工作频率：约166MHz（基于访问时间计算）
功耗：典型值约1.5W
HM5116160CLTT-6是一款高性能异步SRAM芯片，具有高速访问时间和低功耗特性。其CMOS工艺确保了低漏电流和高稳定性，适用于各种高性能系统应用。
该芯片的访问时间仅为5.4ns，意味着它能够支持高达166MHz的外部时钟频率，非常适合用于需要快速响应和数据处理的场合。
其工作电压为5V，符合标准逻辑电平，便于与多种控制器和接口电路兼容。同时，该芯片支持数据保持模式，在电源电压降低至2V时仍能保持存储数据不丢失，这对于系统在低功耗或掉电情况下的数据保护非常有用。
采用TSOP-II封装（CLTT），不仅减小了封装尺寸，也提高了封装的可靠性，适合在高振动或高密度PCB设计中使用。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）确保了在各种恶劣环境条件下仍能稳定工作。
此外，该SRAM芯片无需刷新操作，简化了系统设计，降低了控制器的复杂度，适用于高速缓存、帧缓冲器、数据缓冲等多种应用场景。
HM5116160CLTT-6广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的系统中，如工业控制设备中的高速缓存、嵌入式系统的程序存储器、网络设备中的数据缓冲区、通信模块中的临时数据存储等。
此外，该芯片也常用于图像处理设备、测试设备、医疗设备和汽车电子系统中，提供高速、可靠的随机存取存储能力，满足实时处理和数据暂存的需求。
CY7C1361BV33-166BZXI, IDT71V1216SA85B, AS7C3256-10TC, IS61LV25616-10T
