容量：16Mbit
　　组织方式：1M x 16位
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间（tRC）：7ns（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：54引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：54-TSOP
　　读取电流（最大）：300mA
　　待机电流（最大）：10mA
　　数据保持电压：2V（最小）
　　时钟频率：无（SRAM为异步类型）

HM5116100AS7是一款高速、低功耗的异步SRAM芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了高速数据访问和较低的功耗。其7ns的访问时间使其适用于对速度要求较高的系统。芯片内部具有自动数据保持功能，在待机模式下功耗极低，非常适合电池供电或对功耗敏感的应用。此外，该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
　　HM5116100AS7采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积，适用于空间受限的设计。其异步接口设计简化了系统集成，降低了控制器的复杂性。该芯片的高可靠性和稳定性，使其在长期运行的工业设备和通信设备中得到广泛应用。

该芯片广泛应用于工业控制设备、通信基础设施、网络路由器、交换机、嵌入式系统、数据采集设备及测试测量仪器等领域。由于其高速存取能力和宽温工作范围，特别适合需要可靠数据存储和快速访问的实时系统。例如，在工业自动化控制中，用于缓存关键数据和程序指令；在通信设备中，作为高速缓存或临时数据存储器；在嵌入式系统中，用于存储实时操作系统（RTOS）代码和运行时数据等。

CY7C1041CV33-7ZSXC
　　CY7C1041CV33-7ZSXC
　　IDT71V416S75BQI