时间：2025/12/29 16:46:56
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HM4100F是一款低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），广泛应用于需要高速数据存储的电子设备中。这款存储器芯片具有较高的可靠性和稳定性，是工业和消费电子领域常用的存储解决方案之一。
类型：静态随机存取存储器（SRAM）
容量：4K x 8位
供电电压：5V
访问时间：10ns（典型值）
封装类型：28引脚SSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据保持电压：2V至5.5V
输入/输出电平：TTL兼容
功耗：典型工作模式下为120mA（最大值为150mA）
HM4100F采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问和高集成度的特点。该芯片内置地址缓冲器和数据I/O缓冲器，能够减少外部电路的复杂度，提高系统稳定性。其TTL兼容接口使得该芯片能够轻松连接到多种微控制器和处理器系统中。
HM4100F支持异步读写操作，适用于需要快速响应的应用场景。在低功耗模式下，该芯片能够有效降低功耗，延长设备的续航时间，适合便携式设备和电池供电系统使用。此外，HM4100F具备数据保持功能，在掉电情况下仍能维持数据存储，只要电源电压不低于2V。
该芯片还具有良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。其封装形式为28引脚SSOP，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。
HM4100F主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、测试仪器、消费电子产品等需要高速、低功耗存储解决方案的领域。例如，在智能仪表、无线通信设备和数据采集系统中，HM4100F可以作为缓存或临时数据存储单元，提高系统整体性能。
HM62256BLP-10, CY62256NLL-55SC, IS61C256AHLL-10TI
