HM2310是一款高性能的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于速度检测、位置感应和电流测量等领域。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备高灵敏度、低功耗以及宽工作电压范围等特点。
HM2310通过检测磁场强度的变化来输出数字信号,适合各种工业及消费类电子应用。其内部集成了稳压器、霍尔元件、放大器、施密特触发器以及开漏极输出驱动器等模块,从而确保了芯片在复杂环境下的稳定性和可靠性。
工作电压:2.8V~5.5V
工作温度:-40℃~125℃
响应时间:少于10微秒
输出类型:开漏极输出
灵敏度:Bop=30Gauss,Brp=-30Gauss(典型值)
静态工作电流:小于1uA(待机模式下)
封装形式:SOT-23
HM2310具有以下显著特性:
1. 高灵敏度设计,能够感知较弱的磁场变化。
2. 内置休眠模式,在不需要高频检测时可降低功耗。
3. 宽泛的工作电压范围使得它兼容多种供电场景。
4. 工业级的工作温度范围确保其在极端环境下仍能正常运行。
5. 开漏极输出结构允许与不同逻辑电平系统无缝连接。
6. 封装小巧,便于集成到空间受限的设计中。
HM2310适用于多个领域:
1. 电机无刷控制中的转速监测。
2. 汽车电子中的位置传感和开关检测。
3. 消费类电子产品如手机配件中的接近感应。
4. 工业自动化设备的速度监控和方向判断。
5. 医疗器械中的非接触式电流检测。
6. 家用电器的门状态检测和安全报警功能实现。
A1110, HL191A, UGN3020