HLMT-QH00 时间：2025/9/16 11:43:58 阅读：9

HLMT-QH00 是由 Broadcom（安华高）生产的一款 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）场效应晶体管（FET），专为射频（RF）和微波频率范围内的高功率放大器应用设计。该器件采用了先进的 HEMT 技术，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适用于无线基础设施、蜂窝基站、工业和军事通信系统等对性能要求极高的场景。

参数

器件类型：HEMT FET
　　工作频率：最高可达 6 GHz
　　输出功率：典型值 10 W（在 2.1 GHz 下）
　　增益：22 dB（典型值）
　　漏极电流：800 mA（典型值）
　　漏源电压（Vds）：最大 28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT），4 引脚贴片封装
　　输入和输出阻抗：50Ω

特性

HLMT-QH00 具有多个关键特性，使其在射频功率放大应用中表现出色。首先，其基于 GaAs 的 HEMT 结构提供了非常高的电子迁移率，从而在高频下仍能保持优异的增益和效率。其次，该器件具有高线性度，使其适用于需要低失真的应用，如 W-CDMA、LTE 和其他现代通信标准。此外，HLMT-QH00 内置输入匹配电路，简化了设计流程并减少了外部元件的需求。其热稳定性良好，可在较宽的温度范围内可靠运行。该器件的封装设计也优化了散热性能，支持高功率密度操作。最后，HLMT-QH00 的高耐用性和可靠性使其适用于恶劣环境下的长期运行，包括工业和军事通信系统。
　　HLMT-QH00 的工作频率范围广泛，适用于从 UHF 到微波频段的多种应用。其高输出功率和增益特性使其成为中功率射频放大器的理想选择。该器件的高效率特性有助于降低功耗并减少散热需求，从而提高整体系统的能效。此外，由于其内置输入匹配网络，工程师在设计放大器电路时可以减少外部元件数量，简化 PCB 布局并降低成本。HLMT-QH00 还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，适合在高要求环境中使用。

应用

HLMT-QH00 主要用于以下应用领域：蜂窝基站中的射频功率放大器模块（PAs），包括 GSM、W-CDMA、LTE 等制式；无线基础设施设备，如直放站和分布式天线系统（DAS）；工业和医疗射频设备；测试与测量仪器中的射频信号放大；军事和航空航天通信系统中的高可靠性射频功率放大器；以及各种宽带和窄带射频发射系统。该器件适用于需要高增益、高线性度和高效率的中功率射频放大器设计。