HLMA-QL00-TVK11 是一款由 Broadcom(安华高)生产的高性能 GaAs(砷化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)场效应晶体管(FET),主要用于射频(RF)和微波频率范围内的放大器应用。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有卓越的高频性能和稳定性,适用于无线通信、雷达系统和测试设备等要求高性能的领域。
频率范围:10 MHz 至 6 GHz
工作电压:+28V
HLMA-QL00-TVK11 的核心优势在于其宽频率覆盖范围和出色的线性度,能够在从低频到 6 GHz 的高频范围内提供稳定的性能。该器件采用 GaAs 材料,具备高电子迁移率,从而实现更高的工作频率和更低的噪声。此外,其内部匹配电路简化了外部设计,使得该器件能够轻松集成到现有的射频系统中。
另一个显著特点是其高输出功率能力,能够在典型的 2.14 GHz 工作频率下提供约 10W 的输出功率,并保持较高的功率附加效率(PAE)。这种高效的能量转换能力降低了系统功耗,同时减少了散热需求,适合长时间运行的高可靠性应用。
HLMA-QL00-TVK11 还具备良好的热稳定性和机械稳定性,确保在各种环境条件下(如高温或振动)仍能维持稳定的性能。封装采用紧凑的 SMT(表面贴装技术)形式,有利于节省 PCB 空间,并提升系统的整体集成度。
HLMA-QL00-TVK11 主要用于无线通信基础设施,如基站放大器、中继器以及点对点通信系统。由于其宽频率覆盖能力,它也被广泛应用于雷达系统、测试和测量设备、广播发射机等对高频性能有严格要求的领域。
在现代 4G/5G 移动通信网络中,该器件可以作为中功率放大器使用,支持多种调制格式,提供良好的信号保真度和低失真。此外,它还可用于工业和军事领域的射频加热、射频识别(RFID)以及无人机通信系统等新兴应用。
测试设备制造商也常采用 HLMA-QL00-TVK11 来构建高性能的信号发生器和频谱分析仪,确保测试结果的准确性和一致性。
MRF6S21040N, CGH40010F