HL22W181MRZPF是一款高性能的电子元器件芯片,广泛应用于工业控制、通信设备和自动化系统等领域。该芯片具有优良的稳定性和可靠性,能够适应复杂的工作环境,并提供出色的电气性能。它采用先进的制造工艺和封装技术,确保了在高频率和高温条件下的正常运行。
类型:电容器
电容值:180pF
容差:±2%
额定电压:2000V
温度系数:NPO(C0G)
工作温度范围:-55°C至+125°C
封装形式:径向引线
尺寸:22x18mm
材料:陶瓷
绝缘电阻:10,000MΩ
介质耐压:2500V
HL22W181MRZPF是一款陶瓷电容器,采用NPO(C0G)介质材料,具有出色的温度稳定性和频率稳定性。该电容器的容差仅为±2%,使其在高精度电路中表现优异。其额定电压为2000V,能够承受较高的电压应力,适用于高压环境。此外,该电容器的工作温度范围广泛,从-55°C到+125°C,能够在极端温度条件下保持稳定的性能。由于其陶瓷材料的高绝缘电阻和优异的介质耐压性能,HL22W181MRZPF在高频电路中表现出色,适用于射频(RF)滤波器、振荡器和其他精密电子设备。该电容器的径向引线封装形式便于安装,并提供了良好的机械强度和耐振动能力。
HL22W181MRZPF广泛应用于需要高稳定性和高耐压能力的电子设备中。它常见于电源管理系统、射频通信设备、工业控制电路、自动化设备以及航空航天电子系统。在射频电路中,该电容器常用于滤波器、匹配网络和振荡器,以确保信号的稳定性和精度。此外,它也适用于高可靠性应用,如医疗设备、测试仪器和汽车电子系统。
HL22W181MRZPF的替代型号包括AVX的922D181MAZ2A和KEMET的C1125Z181J2GACTU。这些型号在电容值、额定电压和温度系数方面具有相似的特性,可以作为替代选择。