HL22G181MRZPF 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高效率电源转换、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及功率放大器等应用中。HL22G181MRZPF 采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高耐压、高可靠性和优异的热稳定性。该MOSFET封装为TSOP(薄型小外形封装),适用于便携式设备、消费类电子产品和工业控制系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):0.045Ω @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on)):0.065Ω @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TSOP
引脚数:8
HL22G181MRZPF 具有多种优异的电气和机械特性,适用于高性能功率管理应用。其核心特性包括:
1. **低导通电阻**:Rds(on) 最低可达 0.045Ω,从而显著降低导通损耗,提高系统效率。
2. **高电流能力**:连续漏极电流为 4A,适用于中高功率应用,如DC-DC降压/升压变换器、LED驱动器等。
3. **宽工作温度范围**:支持从 -55°C 到 150°C 的温度范围内稳定运行,适用于严苛环境下的工业和车载应用。
4. **高可靠性设计**:采用高耐久性封装材料和先进晶圆制造工艺,确保器件在长时间运行和高温环境下仍能保持稳定性能。
5. **快速开关特性**:具备较低的输入电容和开关损耗,适合高频开关应用,提高整体电源系统的响应速度和效率。
6. **过热保护功能**:内置热关断保护,防止器件在异常工作条件下损坏,提高系统安全性。
7. **静电放电(ESD)保护**:增强型栅极氧化层设计,提高了抗静电能力,降低器件在装配和使用过程中的损坏风险。
HL22G181MRZPF 广泛应用于各种电子设备和系统中,主要包括:
1. **电源管理系统**:如DC-DC转换器、电源管理IC外围开关元件,适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备。
2. **负载开关与热插拔控制**:用于控制电源线路的通断,防止过流和短路损坏系统。
3. **电机驱动与继电器控制**:适用于小功率电机、风扇、电磁阀等负载的高效驱动。
4. **LED背光驱动**:在LCD背光系统中用于恒流控制和调光功能。
5. **电池供电系统**:如电动工具、无绳吸尘器、无人机等设备中的电源管理模块。
6. **工业自动化设备**:包括PLC(可编程逻辑控制器)、传感器电源、小型继电器控制等应用。
7. **汽车电子**:用于车载充电器、仪表盘电源、LED照明等系统中,满足车用环境对可靠性和稳定性的要求。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, BSS138