您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HIRP3015Q12-K6

HIRP3015Q12-K6 发布时间 时间:2025/9/3 22:11:31 查看 阅读:9

HIRP3015Q12-K6 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款高功率、高速 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高效率功率转换系统设计。该模块集成了一个 IGBT 和一个反向并联的快速恢复二极管,适用于需要高开关频率和低导通损耗的应用场合。HIRP3015Q12-K6 采用双列直插式封装(DIP),具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业电机驱动、变频器、UPS(不间断电源)以及电能质量调节装置等场景。

参数

集电极-发射极电压 VCES:1200V
  集电极电流 IC:30A(Tc=25°C)
  短路电流 ISC:60A(最大值)
  栅极-发射极电压 VGE:±20V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  最大结温 TJ(max):150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  导通压降 VCE_sat:1.5V(典型值,IC=30A, VGE=15V)
  反向恢复时间 trr:150ns(典型值)
  封装类型:DIP-6

特性

HIRP3015Q12-K6 是一款专为高功率密度和高效能应用设计的IGBT模块。其内部集成的IGBT采用了先进的沟槽栅场截止技术(Trench Field Stop),能够在保证低导通压降的同时实现快速开关,从而降低开关损耗。模块内部的快速恢复二极管具有低反向恢复时间(trr),适用于高频开关操作,有助于提升系统的整体效率。
  此外,HIRP3015Q12-K6 具有良好的热性能和机械稳定性,封装设计优化了散热路径,使得在高电流负载下仍能保持较低的温升。其封装材料符合 RoHS 标准,并具备良好的绝缘性能和耐候性,适合在各种工业环境中长期运行。
  该模块还具有优异的短路耐受能力,可在短时间内承受较高的短路电流而不损坏,增强了系统的可靠性和稳定性。HIRP3015Q12-K6 的栅极驱动要求较低,适合与常见的驱动IC配合使用,简化了外围电路设计。

应用

HIRP3015Q12-K6 适用于多种高功率电子系统,包括工业变频器、伺服驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备以及新能源领域的功率调节装置等。其高集成度和高性能特性使其成为高频率开关应用的理想选择,尤其适合需要高效能、高可靠性设计的场合。

替代型号

FGA30N120ANTD, IRGP30B60PD1S