时间：2025/9/3 22:11:31
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HIRP3015Q12-K6 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款高功率、高速 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高效率功率转换系统设计。该模块集成了一个 IGBT 和一个反向并联的快速恢复二极管，适用于需要高开关频率和低导通损耗的应用场合。HIRP3015Q12-K6 采用双列直插式封装（DIP），具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）以及电能质量调节装置等场景。
集电极-发射极电压 VCES：1200V
集电极电流 IC：30A（Tc=25°C）
短路电流 ISC：60A（最大值）
栅极-发射极电压 VGE：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
最大结温 TJ(max)：150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
导通压降 VCE_sat：1.5V（典型值，IC=30A, VGE=15V）
反向恢复时间 trr：150ns（典型值）
封装类型：DIP-6
HIRP3015Q12-K6 是一款专为高功率密度和高效能应用设计的IGBT模块。其内部集成的IGBT采用了先进的沟槽栅场截止技术（Trench Field Stop），能够在保证低导通压降的同时实现快速开关，从而降低开关损耗。模块内部的快速恢复二极管具有低反向恢复时间（trr），适用于高频开关操作，有助于提升系统的整体效率。
此外，HIRP3015Q12-K6 具有良好的热性能和机械稳定性，封装设计优化了散热路径，使得在高电流负载下仍能保持较低的温升。其封装材料符合 RoHS 标准，并具备良好的绝缘性能和耐候性，适合在各种工业环境中长期运行。
该模块还具有优异的短路耐受能力，可在短时间内承受较高的短路电流而不损坏，增强了系统的可靠性和稳定性。HIRP3015Q12-K6 的栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动IC配合使用，简化了外围电路设计。
HIRP3015Q12-K6 适用于多种高功率电子系统，包括工业变频器、伺服驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及新能源领域的功率调节装置等。其高集成度和高性能特性使其成为高频率开关应用的理想选择，尤其适合需要高效能、高可靠性设计的场合。
FGA30N120ANTD, IRGP30B60PD1S
