时间：2025/5/7 15:52:24
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HIR65-21C/B/L289/TR8(HW) 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽式制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点。该元器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域，能够有效提高系统的效率并降低功耗。
HIR65-21C/B/L289/TR8(HW) 的设计使其在高频率和大电流应用中表现出色，同时具有良好的热性能和电气稳定性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：65V
最大连续漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：2.4mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
工作结温范围(Tj)：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247
HIR65-21C/B/L289/TR8(HW) 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以显著减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
2. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性和鲁棒性，可承受高功率密度的工作条件。
4. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常工作状态下的可靠性。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的应用。
6. 封装形式为 TO-247，提供优秀的散热性能。
HIR65-21C/B/L289/TR8(HW) 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 工业设备中的电机驱动和电磁阀控制。
3. 高效负载开关和电池管理系统。
4. 太阳能逆变器及储能系统中的功率调节。
5. 汽车电子中的直流电机控制和电源分配。
6. 各类需要高性能功率开关的应用场景。
IRF650G, IRFP260N, STP20NM60
