HIR333/HO/S2 是一款由Everlight Electronics制造的红外线发射二极管(IR LED),广泛用于红外遥控、安全系统、接近传感器、光隔离器以及工业自动化控制等领域。该器件采用高效的砷化镓(GaAs)材料制造,具有较高的辐射功率和较长的使用寿命。HIR333/HO/S2采用标准的直插式(Through Hole)封装形式,便于在各类电路板上安装和使用。其设计确保了在长时间运行下的稳定性和可靠性,是许多红外发射应用的理想选择。
类型:红外发射二极管(IR LED)
波长:870 nm(典型值)
正向电压(VF):1.2 V 至 1.6 V(在100 mA条件下)
正向电流(IF):最大100 mA
峰值正向电流(IFP):1.5 A(脉冲)
反向电压(VR):5 V
功耗(PD):150 mW
发射角度:±30°
封装类型:直插式(THT)
外壳材料:环氧树脂(透明)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HIR333/HO/S2 采用GaAs(砷化镓)红外发光芯片,具有高发光效率和稳定的光输出。其发射波长为870 nm,处于近红外区域,适用于多种红外接收器的响应波长范围,确保良好的匹配性。该红外LED的正向电压较低,通常在1.2 V至1.6 V之间,有助于降低驱动电路的功耗,提高整体能效。最大正向电流可达100 mA,短时间峰值电流可达1.5 A,适合用于脉冲调制信号传输。其封装采用环氧树脂材料,具有良好的机械强度和抗环境干扰能力,可在恶劣条件下稳定工作。
该器件的发射角度为±30°,确保了较宽的覆盖范围,适用于遥控器、传感器等需要较大角度覆盖的应用场景。HIR333/HO/S2的封装形式为直插式(THT),便于手工焊接和批量安装,兼容多种电路板布局设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境下的长期运行。此外,该红外LED具有较长的使用寿命,通常可达数万小时以上,减少了频繁更换的需要,提高了系统的稳定性和维护效率。
HIR333/HO/S2 主要应用于红外遥控系统、安防设备中的红外发射器、自动门控系统、接近传感器、光电开关、光隔离器、数据通信设备中的红外接口以及工业自动化控制系统中的信号发射单元。由于其高效的红外发射能力和稳定的性能,该器件也常用于消费类电子产品如电视、音响、空调遥控器等。在工业和安防领域,它可用于红外监控、自动对焦系统以及光通信模块的设计。此外,HIR333/HO/S2也适用于需要高可靠性和长寿命的嵌入式系统和智能家电。
TSAL6200, SFH415, L-53F3C, IR333-A, L-53F3C-TR1