HIOB20113-E 是一款基于硅技术的高速光耦合器,广泛应用于需要电气隔离的数字通信接口中。该器件由一个高效的 GaAs 发射极和一个集成的光探测器及放大器组成,具有高传输速度、低功耗以及出色的抗噪性能等优点。其典型应用场景包括工业自动化控制、医疗设备数据传输、电力电子系统中的信号隔离等。
工作电压:4.5V 至 5.5V
传输速率:1Mbps 至 10Mbps
隔离电压:2500Vrms
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
封装形式:SO-6
HIOB20113-E 提供了卓越的电气隔离性能,能够有效防止不同电路之间的干扰和损坏。它采用先进的光电转换技术,确保信号在隔离状态下的高效传输。
该芯片具备快速响应能力,使其非常适合对实时性要求较高的应用场合。此外,HIOB20113-E 的设计符合 RoHS 标准,有助于减少环境污染。
在可靠性方面,此光耦合器经过严格的测试流程,可长期稳定运行于恶劣的工作环境中。
HIOB20113-E 主要应用于需要高可靠性和高隔离性能的场景中,例如 PLC(可编程逻辑控制器)的输入输出模块、电机驱动器的反馈信号隔离、医疗监护仪器的数据采集系统等。
此外,在电力电子领域,该器件也常用于逆变器和 UPS 系统中,用以实现主功率电路与控制电路之间的安全隔离。同时,它还可作为各类通信接口(如 RS-485 和 CAN 总线)的信号隔离解决方案。
HIOB20113E, HIOB20113-D, TLP281-4