类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大基极-发射极电压（VEBO）：5V
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HI882P晶体管具备多个显著特性，使其在电子电路设计中具有广泛的适用性。
　　首先，HI882P的高频响应性能优异，其增益带宽积（fT）高达100MHz，适合用于高频放大电路，如射频（RF）放大器和振荡器等。
　　其次，该晶体管具有较高的电流增益（hFE），范围在110至800之间，具体数值取决于器件的等级分类（例如hFE等级分为O、Y、GR、BL等）。这使得HI882P能够在不同的电路环境中提供稳定的放大效果。
　　此外，HI882P具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中能有效降低能量损耗，提高系统的能效。同时，其最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的开关控制场景。
　　该晶体管的封装形式通常为TO-92或SOT-23，体积小巧，适合高密度PCB布局。并且其工作温度范围宽广，可在-55°C至+150°C的环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用环境。
　　最后，HI882P的制造工艺成熟，可靠性高，具备良好的长期稳定性，适合用于各类电子设备的批量生产。

HI882P的应用范围非常广泛，涵盖了多个电子工程领域。
　　在通信设备方面，HI882P常用于射频放大器、信号调节电路和天线调谐模块。由于其高频特性优异，适合用于无线通信系统中的信号增强和调制解调电路。
　　在音频放大领域，HI882P可用于前置放大器和功率放大电路，提供良好的音质表现和较低的失真率。此外，在模拟电子电路中，该晶体管可作为电压调节器、电流源或驱动器使用。
　　在数字电路和嵌入式系统中，HI882P常用作开关元件，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。由于其响应速度快、导通压降低，适合用于需要频繁切换的场景，如PWM控制和电源管理电路。
　　在工业自动化和控制系统中，HI882P可用于传感器信号放大、电平转换和隔离电路，提高系统的稳定性和抗干扰能力。
　　另外，HI882P也常用于消费类电子产品，如遥控器、智能手表、蓝牙耳机等小型电子设备中，作为关键的信号处理和电源管理元件。

2N3904, BC547, 2SC1815, 2SA1015