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HHV0603G0200J101NTHJ 发布时间 时间:2025/7/1 4:06:11 查看 阅读:7

HHV0603G0200J101NTHJ 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管。该器件采用先进的封装设计,具有出色的热性能和电气特性,适用于高频开关应用和高功率密度设计。它支持高达 650V 的工作电压,同时具备低导通电阻(Rds(on)),能够显著减少传导损耗并提升系统效率。
  该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化以及通信基础设施等领域,尤其是在需要高性能和小型化的场景中表现优异。

参数

最大额定电压:650V
  导通电阻:20mΩ
  最大漏极电流:8A
  栅极电荷:70nC
  结电容:45pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

HHV0603G0200J101NTHJ 的主要特性包括:
  1. 基于氮化镓材料制造,提供卓越的高频性能和低开关损耗。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功耗并提高效率。
  3. 内置 ESD 保护功能,增强器件的可靠性和抗干扰能力。
  4. 支持高频率操作,适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等高频应用场景。
  5. 热性能优越,确保在高功率运行条件下保持稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  此外,其紧凑型封装设计有助于减小整体解决方案尺寸,非常适合对空间有严格要求的应用环境。

应用

HHV0603G0200J101NTHJ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):
   - 高效 AC-DC 转换器
   - 服务器电源
  2. 工业设备:
   - 电机驱动控制器
   - 可再生能源逆变器
  3. 消费类电子产品:
   - 快速充电器
   - 笔记本电脑适配器
  4. 通信设备:
   - 基站电源
   - 数据中心供电模块
  凭借其高效能和高可靠性,该器件成为众多现代电力电子系统中的理想选择。

替代型号

HHV0603G0150J101NTHJ
  HHV0603G0250J101NTHJ

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