型号：HHM17125D1
　　制造商：Hittite Microwave（现为Analog Devices, Inc.）
　　工作频率范围：17.7 GHz 至 21.2 GHz
　　小信号增益：典型值38 dB
　　饱和输出功率（Psat）：+25 dBm（最小值）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：典型值+35 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：最大2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：最大2.0:1
　　供电电压：+5V 和 -5V 双电源供电
　　静态电流：典型值120 mA（漏极电流）
　　栅极偏置电压可调范围：-3V 至 0V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：陶瓷多层基板模块，带金属屏蔽盖
　　尺寸：约17.2 mm × 12.5 mm × 4.0 mm
　　接口类型：表面贴装金丝球焊盘
　　热阻抗（Junction-to-Case）：约15°C/W

HHM17125D1具备卓越的射频性能和稳定性，适用于毫米波频段的高频率通信系统。其核心特性之一是宽频带操作能力，能够在17.7 GHz至21.2 GHz的频率范围内保持一致的增益响应和平坦的输出特性，这使得它非常适合用于K波段通信系统，例如点对点微波链路和卫星上行/下行链路。该器件采用了GaAs（砷化镓）pHEMT工艺制造，具有优异的电子迁移率和高频特性，从而实现了高增益和高效率的结合。其小信号增益典型值达到38 dB，确保即使在输入信号较弱的情况下也能提供足够的放大能力。
　　另一个关键特性是出色的线性度表现。HHM17125D1的输出三阶交调截点（OIP3）典型值高达+35 dBm，意味着在处理复杂的调制信号（如QAM、OFDM）时能够有效抑制非线性失真，降低邻道干扰（ACPR），提升整体通信质量。这对于高数据速率传输至关重要。同时，该放大器具备良好的回波损耗性能，输入和输出VSWR均控制在2.0:1以内，减少了因阻抗不匹配引起的信号反射，提升了系统的稳定性。
　　该器件还内置了灵活的偏置调节功能，通过外部调整栅极电压（-3V至0V）可以优化工作点，实现功耗与性能之间的平衡。配合+5V漏极供电，用户可以根据实际需求设置静态电流，适应不同的应用场景。此外，HHM17125D1集成了多重保护机制，包括过温保护、负载失配保护（VSWR耐受能力强）以及静电放电（ESD）防护，增强了在恶劣环境下的鲁棒性。其陶瓷封装不仅提供了良好的热传导路径，还有助于电磁屏蔽，防止外界干扰影响性能。整体设计符合军用和工业级标准，适合部署在户外基站、航空航天及国防电子系统中。

HHM17125D1主要应用于高频、高线性度要求的射频系统中，尤其适用于K波段（18–22 GHz）的通信设备。典型应用包括地面微波通信系统中的中继站和接入点，用于长距离、高速率的数据传输。在卫星通信领域，该器件可用于地球站的上变频发射链路，作为驱动级或末级功率放大器，支持高清视频、互联网接入和远程监控等服务。此外，在相控阵雷达和电子战系统中，HHM17125D1因其高增益和优良的相位一致性，常被用作T/R（收发）模块中的关键放大元件。
　　在5G毫米波基础设施建设中，尽管主流频段集中在24 GHz以上，但HHM17125D1仍可作为测试设备、信号发生器或回传链路前端的一部分，发挥其宽带放大优势。科研机构也常将其用于太赫兹前端系统的开发与原型验证，作为低噪声放大后的信号增强环节。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，该芯片还可用于机载、舰载和车载通信平台，在振动、温差大等复杂环境中保持稳定运行。总之，HHM17125D1凭借其高频性能、高增益和高可靠性，已成为高端无线通信系统中不可或缺的核心组件之一。

HMC1088LP5E
　　HMC1090LP5E
　　ADPA7008