型号：HHM1522E1
　　制造商：Hitachi Metals (现为NTK, Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. 或相关合并实体)
　　工作频率范围：1700 MHz 至 2200 MHz
　　输出功率：典型值约 +30 dBm (1W) Pout
　　增益：典型值约 32 dB
　　电源电压：典型 Vcc = 28 V
　　静态电流：可调偏置，典型值约 120 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω 标准匹配
　　封装类型：表面贴装模块（SMD Module）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　驻波比耐受能力：可承受一定负载失配（VSWR ≤ 2:1）
　　谐波抑制：优于 -30 dBc 典型值

HHM1522E1作为一款专为高频通信系统设计的射频功率放大器模块，具备多项关键性能优势，使其在复杂的无线传输环境中表现出色。首先，它具有宽频带操作能力，覆盖1700 MHz至2200 MHz的频率范围，能够兼容多种蜂窝通信标准，包括UMTS、LTE FDD/TDD以及部分5G n1/n3/n7/n8/n38/n40/n41等频段。这种宽带特性使得单个模块可以服务于多个运营商频谱配置，降低系统设计复杂度和硬件成本。
　　其次，该器件实现了高增益与高输出功率之间的良好平衡，典型增益达到32 dB，在较低驱动电平下即可实现1W（+30 dBm）的饱和输出功率，适用于中等功率发射链路。其内置输入/输出匹配网络减少了外围元件数量，提高了电路布局的一致性与可重复性，同时降低了调试难度。
　　在线性度方面，HHM1522E1展现出优秀的三阶交调失真（IMD3）性能，尤其在使用数字预失真（DPD）技术时能有效提升邻道泄漏比（ACLR），满足现代多载波放大需求。此外，模块内部集成的有源偏置电路支持温度补偿功能，确保在不同环境温度下维持稳定的静态工作点，从而避免因温漂导致的性能下降或可靠性问题。
　　热管理方面，该封装结构具备优良的散热路径设计，结合陶瓷基板材料与金属屏蔽外壳，不仅增强了电磁屏蔽效果，还提升了长期运行时的热稳定性。即使在满负荷连续工作条件下，也能保持较低的结温上升速率，延长使用寿命。整体模块符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造要求。

HHM1522E1主要面向无线基础设施领域的中高功率射频放大应用场景。典型用途包括宏基站（Macro Base Station）和小型蜂窝基站（Small Cell）中的最终功率放大级，用于增强上行或下行链路信号强度，以扩大覆盖范围并提升网络容量。由于其宽频带特性和良好的线性表现，特别适合部署在多模多频基站系统中，支持运营商在同一硬件平台上灵活切换不同通信制式。
　　此外，该模块也常用于分布式天线系统（DAS），这类系统通过将主信号源分发至多个远端单元来改善建筑物内部或地下空间的信号覆盖质量。HHM1522E1在此类应用中承担远端放大任务，保证信号在长距离传输后仍具备足够的强度与清晰度。
　　在公共安全通信、专网集群系统（如TETRA、P25）以及工业无线监控系统中，该器件也被用作核心射频放大组件，提供可靠且稳定的信号发射能力。另外，它还可应用于测试测量设备，如信号发生器或射频仿真平台中的辅助放大单元，用于生成高强度测试信号。
　　在微波回传链路或点对点无线中继系统中，HHM1522E1可用于短距离中继放大，弥补自由空间损耗带来的信号衰减。由于其具备较强的抗干扰能力和良好的互调性能，即使在密集电磁环境中也能维持稳定运行。因此，该器件广泛服务于电信运营商、设备制造商及系统集成商，是构建现代化无线通信网络的重要组成部分。

MHL9636-1T
　　CGH40010F
　　PD55003T