时间：2025/6/16 9:14:05
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HH21N510G101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率管理的场景。
HH21N510G101CT 的设计使其能够承受较高的电压，并在高频工作条件下保持高效的性能。同时，它还具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
型号：HH21N510G101CT
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263（D2PAK）
VDS（漏源击穿电压）：510V
RDS(on)（导通电阻）：100mΩ（典型值，@ VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：10A
Qg（栅极电荷）：40nC
Ciss（输入电容）：1800pF
fBSOD（内置续流二极管正向压降）：1.1V
功耗：230W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
HH21N510G101CT 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 510V 的漏源击穿电压，适用于高压环境下的功率应用。
2. 低导通电阻（RDS(on)），在额定电压下提供高效的功率传输，降低发热。
3. 内置快速恢复体二极管，优化了续流性能，特别适合于同步整流和 DC-DC 转换器。
4. 低栅极电荷和输出电容，减少开关损耗并提高开关频率。
5. 紧凑型 TO-263 封装，易于安装并提供良好的散热性能。
6. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），确保其在极端条件下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
HH21N510G101CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器和逆变器的核心组件。
3. 各种电机驱动电路，包括步进电机、直流无刷电机等。
4. 工业控制设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率级模块。
6. 电动汽车充电器和车载电子设备的功率管理部分。
7. 任何需要高压、高效功率切换的应用场景。
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